2019 Q2 Hynix ຈະຜະລິດລຸ້ນ 10nm process memory ລຸ້ນທີ 2

ບໍ່ດົນມານີ້ບໍລິສັດ SK hynix ໄດ້ເປີດເຜີຍວ່າບໍລິສັດຈະເພີ່ມຂະບວນການຜະລິດລຸ້ນ 10 nanometer (ເຊັ່ນ: 1X nm) ການຜະລິດ DRAM, ແລະຈະເລີ່ມຂາຍເຕັກໂນໂລຢີການຜະລິດ 10 nanometer ລຸ້ນທີສອງຂອງຕົນ (ຍັງເອີ້ນວ່າ 1Y nm) ໃນເຄິ່ງທີ່ສອງຂອງ ປີ. ຄວາມຊົງ ຈຳ. ເລັ່ງການຫັນປ່ຽນໄປສູ່ເຕັກໂນໂລຢີ 10nm ຈະຊ່ວຍໃຫ້ບໍລິສັດສາມາດເພີ່ມຜົນຜະລິດ DRAM, ໃນທີ່ສຸດກໍ່ຈະຊ່ວຍຫຼຸດຕົ້ນທຶນແລະການກຽມຕົວ ສຳ ລັບຄວາມ ຈຳ ຂອງຄົນລຸ້ນຕໍ່ໄປ.

ຜະລິດຕະພັນ ທຳ ອິດທີ່ຜະລິດໂດຍໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີການຜະລິດ SK Hynix 1Y nm ຈະເປັນຊິບ ໜ່ວຍ ຄວາມ ຈຳ 8Gb DDR4-3200 ຂອງມັນ. ຜູ້ຜະລິດກ່າວວ່າມັນສາມາດຫຼຸດຜ່ອນຂະ ໜາດ ຊິບຂອງອຸປະກອນ 8Gb DDR4 ລົງ 20% ແລະຫຼຸດຜ່ອນການໃຊ້ພະລັງງານຂອງມັນຫຼຸດລົງ 15% ທຽບກັບອຸປະກອນທີ່ຄ້າຍຄືກັນທີ່ຜະລິດໂດຍໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີການຜະລິດ 1X nm. ນອກຈາກນີ້, ຊິບ 8Gb DDR4-3200 ທີ່ ກຳ ລັງຈະມາເຖິງຂອງ SK hynix ມີການປັບປຸງສອງຢ່າງທີ່ ສຳ ຄັນຄື: ລະບົບໂມງໂມງ 4 ໄລຍະແລະເຕັກໂນໂລຢີຄວບຄຸມເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ Sense.

ເຖິງແມ່ນວ່າເຕັກໂນໂລຢີເຫຼົ່ານີ້ມີຄວາມ ສຳ ຄັນເຖິງແມ່ນວ່າ ສຳ ລັບ DDR4 ໃນປີນີ້, ແຕ່ກໍ່ຍັງເວົ້າໄດ້ວ່າ SK hynix ຈະ ນຳ ໃຊ້ຂະບວນການຜະລິດ 1Y nm ຂອງຕົນເພື່ອຜະລິດ DDR5, LPDDR5 ແລະ GDDR6 DRAM. ສະນັ້ນ, Hynix ຕ້ອງຍົກລະດັບເຕັກໂນໂລຢີການຜະລິດ 10 nanometer ລຸ້ນທີສອງຂອງຕົນໃຫ້ໄວທີ່ສຸດເພື່ອກຽມພ້ອມ ສຳ ລັບອະນາຄົດ.